30’dan fazla cihazı bulunan Test ve Karakterizasyon Birimi, laboratuvar ve endüstri ölçeğinde üretilmiş hücrelerin Raman, FTIR, XPS, ToF-SIMS, ECV, EDS, XRD ve Spektroskopik Elipsometri analizlerini yapabilmektedir. Güneş hücrelerinin elipsometrik ölçümleri, elemental bağ yapıları RAMAN, FTIR ve XPS karakterizasyon yöntemleri ile analiz edilebilmektedir. Aynı zamanda, ToF-SIMS ve ECV yöntemleri kullanılarak, hücrelerin katkılama seviyeleri aktif ve pasif olarak belirlenebilmektedir. Ayrıca, ToF-SIMS, XPS ve EDS yöntemleri ile güneş hücrelerinin performansını etkileyen safsızlık gösteren yapıları belirlemek mümkündür. XRD ve Raman spektroskopisi ile hücrelerin kristalografik ve yapısal özellikleri hakkında bilgi edinmenin yanında, spektroskopik elipsometre ile optik özelliklerin belirlenmesi mümkündür. Güneş hücrelerinin morfolojik ve topografik özelliklerini belirlemek için de SEM ve AFM analiz yöntemleri kullanılmaktadır. Güneş hücrelerinin elektriksel özelliklerinin belirlenmesi için ise 4-nokta kontak, Sinton yük-yaşam süresi ve Suns-Voc yöntemlerinden yararlanılmaktadır. Bu yöntemler kullanılarak üretim süreci tamamlanmamış hücrelerin potansiyel elektriksel özellikleri her bir üretim aşamasından sonra kontrol edilerek, sürecin iyileştirilmesi ve kontrollü ilerlemesi sağlanabilmektedir. Genel olarak Türkiye, Doğu Avrupa ve Orta Doğu bölgelisinde bu konuda öncü bir kuruluş olan ODTÜ-GÜNAM’ın, güneş hücresi teknolojileri için üretim aşamasından son ürün noktasına kadar yapısal, elektriksel ve optik alanlarda geniş bir yelpazede test ve karakterizasyon altyapısı ve hizmet verme kabiliyeti bulunmaktadır.
HİZMET CİHAZ LİSTESİ ve AÇIKLAMALARI
| Kod | Hizmet | Birim | Fiyat (TL) |
|---|---|---|---|
| H0001 | Binde bir hassasiyetiyle malzemenin içeriği ve atomlar arasındaki bağların Belirleme Ölçümü | Adet | 6,045.00 |
| H0002 | Bor (B) katkılama prosesi | Saat | 4,000.00 |
| H0003 | Dönel kaplama | 1 saate kadar | 1,200.00 |
| H0004 | Dönel kaplama | 1 saate kadar | 1,000.00 |
| H0005 | Düşük Sıcaklılarda akım-gerilim ölçümü ile katkılanmanın aktivasyon enerjisi hesaplama | Adet | 12,955.00 |
| H0006 | Düşük Sıcaklılarda Fotolüminesans etkisiyle kusur analizi | Adet | 17,272.00 |
| H0007 | Elek baskı yöntemi ile metalizasyon (sarf dahil) | Saat | 16,000.00 |
| H0008 | Elek baskı yöntemi ile metalizasyon (sarf hariç) | Saat | 12,000.00 |
| H0009 | Elektro-Kapasitans-Voltaj (ECV) ile aktif dopant konsantrasyonunu ölçümü | Saat | 3,000.00 |
| H0010 | Elektrolüminesans görüntüleme (modül) | Adet | 2,160.00 |
| H0011 | Elektrolüminesans görüntüleme (küçük alan) | 1 saate kadar | 900.00 |
| H0012 | En yüksek güç tayini testi (çift yüzlü paneller için) | Adet | 6,980.00 |
| H0013 | En yüksek güç tayini testi (tek yüzlü paneller için) | Adet | 5,040.00 |
| H0014 | Endüstriyel boyutlu güneş hücreleri üzerinde hücre verimi ölçümü | Adet | 400.00 |
| H0015 | Flaş ışığı altında hücre verimlilik ölçümü | Adet | 400.00 |
| H0016 | Flaş-İndiksüyon etkileşimi ile yük yaşam süresi tayini | Adet | 1,730.00 |
| H0017 | Flaş-İndiksüyon etkileşimli yük yaşam süresinin sıcaklığa bağlı tayini | Adet | 6,480.00 |
| H0018 | Fosfor (P) katkılama prosesi | Saat | 3,000.00 |
| H0019 | Fotovoltaik modüllerin dış ortam performans ölçümü | Ay | 17,275.00 |
| H0020 | FTIR (eldivenli kabin sistemi içinde) | 1 saate kadar | 900.00 |
| H0021 | Güneş hücrelerin yapısal kusurlarını fotolüminesans yöntemiyle haritalandırması | Adet | 4,320.00 |
| H0022 | Güneş hücrelerinde metal kontak direci ölçümü (Örnek hazırlama dahil) | Saat | 2,000.00 |
| H0023 | Güneş hücrelerinde metal kontaklardaki olası deformasyonların elektrolüminasans yöntemi ile belirlenmesi | Adet | 200.00 |
| H0024 | Güneş hücrelerinin yüzeyindeki olguların yatayda ve dikeyde boyut ölçümü | Adet | 1,730.00 |
| H0025 | Güneş simülatörü testleri (yoğunlaştırılmış güneş enerjisi uygulamaları için, 18 kWe gücünde) | Adet | Talebe özel fiyatlandırma yapılacaktır. |
| H0026 | I-V ölçümü (Küçük alanlı hücreler, Oda koşullarında) | Saat | 900.00 |
| H0027 | I-V ölçümü (Küçük alanlı hücreler, Eldivenli kabin sistemi içinde) | Saat | 1,000.00 |
| H0028 | Iyon implantasyon prosesi (B, P, BF2, F, Ar) | Saat | 12,000.00 |
| H0029 | İnce film güneş hücrelerinde akım-gerilim ölçümü | Adet | 1,300.00 |
| H0030 | interstisial oksijen ve karbon oran tayini kizilötesi ışık emilim yöntemiyle | Adet | 17,272.00 |
| H0031 | Kademeli tek renkli ışınım altında güneş hücrelerinin kuantum verimliliğinin ölçümü | Adet | 8,635.00 |
| H0032 | Kademeli tek renkli ışınım altında malzemelerin toplam geçirgenlik özelliklerinin tayini | Adet | 6,480.00 |
| H0033 | Kademeli tek renkli ışınım altında malzemelerin toplam ve dağınık yansıma özelliklerinin tayini | Adet | 6,480.00 |
| H0034 | Katıhal malzemelerin derin seviye kusurların elektrik eksitasyon-indukleme yötmeyile belirlenmesi | Adet | 30,225.00 |
| H0035 | Kızıl ötesi ışınıyla malzemelerin moleküler bağ analizi | Adet | 2,160.00 |
| H0036 | Kimyasal Test Yöntemiyle Enkapsülant Malzemelerdeki Çapraz Bağlanma Yüzdelerinin Nicel Analizi | Adet | 20,000.00 |
| H0037 | Malzemenin Çekirdek Manyetik etkileşimiyle yapıları ve kimyasal özellikleri ölçümü | Adet | 12,955.00 |
| H0038 | Malzemenin içindeki elektronların spin resonans davranışınıyla kusurların düşük sıcaklıklarda ölçümü | Adet | 85,358.00 |
| H0039 | Malzemenin içindeki elektronların spin resonans davranışınıyla kusurların oda sıcaklıklarda ölçümü | Adet | 12,955.00 |
| H0040 | Manyetron Saçtırma | Adet | 1,300.00 |
| H0041 | Metal buharlaştırma | Adet | 1,800.00 |
| H0042 | Metal Buharlaştırma (E-beam/Thermal for large area) (<1µm) | Saat | 6,000.00 |
| H0043 | Mikron mertebesinde yüzeyi ölçekleme ve fotoğraflandırma | Adet | 435.00 |
| H0044 | Milyarda bir hassasiyetiyle Malzemenin içeriğini Yüzeyden Derine Ölçümü | Adet | 12,955.00 |
| H0045 | Nikel, Bakır, Gümüş elektrokimyasal kaplama* | Saat | 5,000.00 |
| H0046 | Oda Sıcaklılğına Fotolüminesans etkisiyle bant aralığı ölçümü ve kusur analizi | Adet | 2,160.00 |
| H0047 | Parabolik oluklu kolektör (PTC) simülatörü testleri | Adet | Talebe özel fiyatlandırma yapılacaktır. |
| H0048 | Raman spektroskopisi yöntemiyle yapı ve faz analizi | Adet | 2,160.00 |
| H0049 | Sıcaklık katsayılarının belirlenmesi | Adet | 26,985.00 |
| H0050 | Si wafer (M2,G1) tel hasarı aşındırma | Saat | 5,000.00 |
| H0051 | Silisyum wafer (M2,G1) yüzey şekillendirme | Saat | 20,000.00 |
| H0052 | Silisyum wafer yüzeyinde SixNy and SiOxNy biriktirme | Adet | 2,000.00 |
| H0053 | Silisyum wafer yüzeyine Al2O3 kaplama (<10nm) | Adet | 2,000.00 |
| H0054 | Silisyum wafer yüzeyine ZN:Al kaplama (<10nm) | Adet | 12,000.00 |
| H0055 | Soğurucu malzemelerin optik özelliklerinin ölçümü | Adet | 3,455.00 |
| H0056 | Standart test koşulları altında performans belirleme (çift yüzlü paneller için) | Adet | 6,980.00 |
| H0057 | Standart test koşulları altında performans belirleme (tek yüzlü paneller için) | Adet | 5,040.00 |
| H0058 | Süreklı ışıyan ışık kaynağı altında laboratuar-boyut/standart dışı hücre verimlilik ölçümü | Adet | 2,590.00 |
| H0059 | Taramalı elektron demetiyle Enerji Dispersif Spektroskopi ve yüzeyi harıtalandırarak kompozisyon analizi | Adet | 8,636.00 |
| H0060 | Taramalı elektron demetiyle Enerji Dispersif Spektroskopi ve yüzeyin 5-noktsından kompozisyon analizi | Adet | 4,320.00 |
| H0061 | Tavlama Prosesleri (<1000C) | Saat | 2,000.00 |
| H0062 | Termal görüntüleme* | Adet (En az 20 Adet) | 200.00 |
| H0063 | Termal yöntem ile SiO2 büyütme | Adet | 2,000.00 |
| H0064 | Termofiziksel özelliklerin ölçümü (oda sıcaklığında geçici düzlem kaynağı yöntemiyle) | Adet | 2,160.00 |
| H0065 | Termofiziksel özelliklerin ölçümü (yüksek sıcaklıklarda geçici düzlem kaynağı yöntemiyle) | Adet | 3,170.00 |
| H0066 | Wafer kesme, ablasyon ve işaretleme prosesleri | Saat | 3,000.00 |
| H0067 | Yansıma, ışık geçirgenliği ve fotolüminesans | 1 saate kadar | 900.00 |
| H0068 | Yük taşıyıcıların etkin yaşam sürelerinin ve örtük açık devre voltaj (Voc) değerlerinin belirlenmesi | Adet | 200.00 |
| H0069 | Yüksek çözünürlüklü atomik kuvvet mikroskobu ile yüzey topografyasının çıkarılması | Adet | 3,455.00 |
| H0070 | Yüksek çözünürlüklü taramalı elektron mikroskobu ile yankesitten yapısal ve morfolojik özelliklerin tayini | Adet | 3,455.00 |
| H0071 | Yüksek çözünürlüklü taramalı elektron mikroskobu ile yüzey yapısal ve morfolojik özelliklerin tayini | Adet | 2,590.00 |
| H0072 | Yüksek hassasiyetle yüzey sıcaklık ölçümü | Gün | 2,160.00 |
| H0073 | Yüzey direnci ölçümü | Adet | 100.00 |
| H0074 | Parlama Analizi | Adet | Talebe özel fiyatlandırma yapılacaktır. |
İNDİRİM KOŞULLARI VE ORANLARI
Eğer bir servis talebi kurum, kuruluş, üniversite veya firma/şirket adına gönderiliyorsa, aşağıdaki indirim oranları uygulanır:
- Orta Doğu Teknik Üniversitesi (ODTÜ): %50
- 6550 No.lu Kanun Kapsamında Desteklenen Araştırma Altyapıları: %30
- ODTÜ Teknokent Firmaları: %30
- Vakıf Üniversiteleri: %20
- Kamu Kurum ve Kuruluşları: %30
- 4961 ve 5746 No.lu Kanun Kapsamındaki Firmalar/Şirketler: %20
- Kamu, Üniversite ve Özel Sektör İşbirlikleri: %20 (Eğer talep bir üniversite adına gönderiliyorsa)
* FİYATLARIMIZA KDV DAHİL DEĞİLDİR.
* ODTÜ-GÜNAM’ın güneş enerjisi araştırma ve geliştirme alanındaki stratejik hedefleri ile uyumlu hizmet taleplerinde kamu kurum ve kuruluşları, yüksek öğretim kurumları ve KOBİ niteliğindeki işletmelere %50’ye kadar indirim uygulanabilecektir.